ТИБИЛОВ ВЯЧЕСЛАВ КАМБОЛАТОВИЧ

  Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть реализовано в оборудовании для выращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы Цель изобретение - более точная подача смеси в реактор в более широком диапазоне концентраций легирующей примеси. В ретродиффузио нную ячейку подают газ-носитель с легирующим компонентом с регулируемой объемной скоростью до Nf и газ-раз...