Залесский Валерий Борисович (BY)

 Изобретение относится к области фотогальваники и может быть использовано, например, в производстве солнечных элементов для нанесения светопоглощающих слоев на основе многокомпонентных халькопиритных соединений меди CuInSe2, CuGaSe2 и Cu(In, Ga)Se2. Технический результат изобретения заключается в снижении расхода селена с одновременным упрощением технологии и повышением экологической безоп...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и полупроводниковой оптоэлектроники. Сущность: получение пленок Zn2-2хCuхInxVI2, осуществляют в двухстадийном процессе. На первой стадии на подложку или на подложку с проводящим контактом различными методами вакуумного напыления наносятся (последовательно или совместно) компоненты исходного соединения: халькогенид цинка, пленки металлов Cu,...

Способ получения Cu(In,Ga)(S,Se)2 тонких пленок осуществляют в двухстадийном процессе, на первой стадии которого на подложке или на подложку с проводящим контактом методом вакуумного напыления формируют базовый слой металлических компонент, и/или их бинарных селенидов, и/или сульфидов с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением компонентов, а на второй осуществляют сульфиризацию...

Изобретение относится к области гелиотехники, в частности к солнечным фотоэлектрическим модулям с концентраторами излучения для получения электричества. Фотоэлектрический модуль содержит боковые стенки, верхнюю панель из силикатного стекла, плосковыпуклые линзы, закрепленные на внешней поверхности нижней панели и соосные с соответствующими линзами Френеля, а также герметично соединенные с внешней...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение, например, для концентрации солнечного излучения на фотогальванические ячейки. Голографический концентратор солнечной энергии, включающий плоскую прозрачную пластину с прилегающим к ее входной грани голографическим элементом, образованным двумя примыкающими голографическими решетками, углы дифракции которых имеют противоположны...