БЕСТАЕВ МЭЛС ВАСИЛЬЕВИЧ

  Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при производстве полупроводниковых структур . Цель изобретения - улучшение планарности и уменьшение плотности дефектов в структуре. Способ включает нагрев исходных компонентов, гомогенизацию полученного раствора-расплава в защитной атмосфере, приведение подложки в контакт с раствором-расплавом в вакууме и после...

  Назначение: изобретение относится к полупроводниковой технике, может быть использовано при контроле параметров полупроводниковых соединений А4В6 в процессе их получения. Сущность изобретения: партию монокристаллов обрабатывают изометрически в парах лигатуры. Каждый кристалл обрабатывают при определенной температуре. По характеру изменения коэффициента термоЭДС определяют тип пров...