БАРСЕГЯН СЕРЕЖА ХАЧАТУРОВИЧ

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в твердотельной электронике для измерения толщины диэлектрического слоя на поверхности полупроводника. Цель изобретения - повышение точности измерения толщины диэлектрического слоя, удовлетворяющего соотношению ΔD/D≤0,01, где D - толщина контролируемого слоя ΔD - отклонение толщины от номинально...