СУВОРОВ ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов. Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2, 7 мкм, а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм. Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450 - 750°С. Кристаллодержатель из ковара поме...

  Назначение: технология сборки полупроводниковых приборов. Сущность способа: при сборке полупроводникового прибора на кристаллодержатель и внутренние части выводов наносят алюминий, на поверхность кристалла наносят германий, пайку кристалла с кристаллодержателем осуществляют электрическим сплавом германий-алюминий , а алюминиевые контактные площадки соединяют с внутренними частями...