БЫСТРОВА ОЛЬГА НИКОЛАЕВНА

  Изобретение относится к получению бездефектных полупроводниковых подложек для эпитаксиального наращивания и может быть использовано при получении стабильных составов с высокой полирующей способностью. Изобретение позволяет улучшить качество полирующего состава, полирующую способность и качество поверхности полупроводниковых пластин за счет осуществления способа получения полирующ...