Сидорова М.Н.

 Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Целью изобретения является повышение надежности полупроводниковых приборов. После удаления фоторезиста осуществляют неполное плазменное травление пленки Tiw на 2/3 толщины слоя. Затем слой дотравливают в растворе перекиси водорода и уксусной кислоты при соотношении 1 1 и температуре 40...