ОКУНЕВ ЮРИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений, может использоваться в производстве сптоэлектронных приборов и интегральных схем, обеспечивает улучшение структурного совершенства кристалла Способ включает нагрев монокристалла до 750-800°С в атмосфере инертного газа при давлении 3- 15 атм, выдержку 60-120 мин, охлаждение и при 200-300°С снижение да...

  Изобретение относится к способам получения монокристаллов фосфида галлия и позволяет уменьшить плотность дефектов структуры и.предотвратить растрескивание монокристаллов диаметром более 50 мм. Вытягивают кристалл из расплава с флюсом под давлением инертного газа. Из флюса вытягивают со скоростью 0,25-0,75 мм/мин. Охлаждают кристалл до 500-700°С, затем нагревают на 50-200&...