СИМАШКЕВИЧ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ
Изобретатель СИМАШКЕВИЧ АЛЕКСЕЙ ВАСИЛЬЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ выращивания монокристаллов твердых растворов типа а @ в @
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов твердых растворов на основе ZnTe - ZnSe, которые могут быть использованы в приборах оптоэлектроники. Способ позволяет получить твердые растворы заданного состава и повысить их качество. Монокристаллы твердых растворов ZnTe Sei-x выращивали путем испарения исходных раздельно размещенных бинарных соединений ZnTe и ZnSe в...
1686042
Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а @ в @
Использование: твердотельная электроника . Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют , во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят выращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава...
1798397