КИТАЕВ ЕВГЕНИЙ МИХАЙЛОВИЧ

  Изобретение относится х технологическому оборудованию для получения диэлектрических слоев двуокиси кремния на подложках из арсенида галлия. Обеспечивает увеличение площади поверхности осаждения и повышение однородности слоев. Устройство включает реактор с вращающимся подложкодержателем (ПД). На ПД размещен источник излучения, содержащий анод и полый катоде рубашкой охлаждения. Вн...