Рябова А.А.

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления одно- и многоэлементных приборов на основе узкозонных полупроводников с высокими электрофизическими параметрами. Сущность изобретения: при изготовлении планарных p-n-переходов на антимониде индия проводят подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, наносят маскирующую пленку кремния синтезом из газовой фазы, вскрываю...

 Изобретение относится к горнодобывающей промышленности, в частности к буровзрывным работам, и может быть использовано при проведении горных выработок или отбойке горной массы с помощью направленного взрыва. Технической задачей является создание удлиненного заряда для направленного разрушения горных пород с безотказным взрывом заряда по всей длине и улучшенной полнотой отбойки горного масс...