Гаман В.И.
Изобретатель Гаман В.И. является автором следующих патентов:

Датчик магнитной индукции с частотным выходом
Изобретение относится к электрическим и магнитным измерениям и предназначено для измерения индукции магнитного поля. Цель изобретения - повышение чувствительности и расширение динамического диапазона измерений Цель достигается тем, что полупроводниковый кристалл ркремния имеющий инжектирующий и омический контакты, выполнен в виде стержня с поперечным сечением в форме круга или пр...
1686940