Курсакова В.В.

 Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности кремниевых фотопреобразователей (ФП). Целью изобретения является повышение КПД ФП за счет изменения формы профиля распределения примесей и исключения взаимного их влияния. Цель достигается тем, что диффузию фосфора проводят в две стадии со сменой источника, при этом первую стадию диффузии фосфора прово...