НЕГРЕСКУЛ ВАЛЕНТИН ВАСИЛЬЕВИЧ

  Изобретение относится к области контроля электрических параметров полупроводниковых приборов, в частности р-п-структур, работающих при больших инжекциях носителей заряда в области лавинного пробоя, преимущественно структур большой площади. Цель изобретения - повышение достоверности контроля приборов с плоскими хрупкими контактными поверхностями . Для исследования, например, перех...