Халецкий Р.А.

 Изобретение относится к квантовой электронике и оптоэлектронике, к технологии создания решетки нанокластеров кремния, которые являются основой приборостроения. Сущность изобретения заключается в очистке кремниевой подложки, ее маскировании, нанолитографии, осуществляемой таким образом, что границы маскирующих участков ориентированы под углом 45o к базовому срезу [110] подложки, структурир...