Кузнецов В.О.

 Изобретение относится к производству интегральных схем с многоуровневыми межсоединениями. Цель изобретения - повышение надежности и выхода годных изделий. Способ включает формирование проводников нижнего уровня, формирование межуровневой изоляции путем нанесения первого диэлектрического слоя толщиной 0,6 - 0,8 толщины межуровневой изоляции, сглаживание рельефа магнетронным ВЧ-распылением...

 Сущность изобретения: способ включает формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки толщиной h 2.5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки жидкостным методом на глубину, равную толщине проводников, удаление фоторезиста и повторное травление диэлектрической пленки на глу...