Скворцов И.М.

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к измерению удельного сопротивления эпитаксиальных слоев. Целью изобретения является повышение точности при измерении эпитаксиальных слоев на проводящих изотипных подложках. В способе градуировки, включающем измерение напряжения на выходе резонансного датчика для монокристаллических полупроводниковых образцов, аттестованных по...