БОНДАРЕНКО С.К.

  Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов германэта висмута и позволяет улучшить КЛЧРСТ- во кристаллов и повысить выход годных . Кристалл выращивают из расплава на затравку. После выращивания верхнего конуса и цилиндрической части кристалла скорость вращения плавно снижают до нуля в течение 5-10 с и продолжают вытягивание при уменьшении температуры расплава от 10...