Лазина Н.А.

 Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых интегральных схем, в частности к изготовлению быстродействующих интегральных схем на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией (КСДИ). Целью является повышение выхода годных структур по напряжению пробоя за счет исключения попадания фосфора в области скрытых слоев. Способ включает вакуумную диффузию мышьяка в кремни...