АККУРАТОВА НИНА ГЕОРГИЕВНА

  Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов со структурой силеннита и позволяет увеличить производительность способа и предотвратить растрескивание монокристаллов Bli2Ge020 и BI12SI020 диаметром 60-90 мм. Выращивают кристаллы методом Чохральского, отрывают от расплава. Проводят отжиг в ростовой камере при температуре на 25-45°С ниже температуры плавления,...

  Использование: очистка расплава алюминия от легколетучих примесей за счет полного удаления окисной пленки с поверхности расплава. Сущность: расплав нагревают до 700-750°С и выдерживают в вакууме при этой температуре в течение 3-4 ч в тигле, вращающемся со скоростью 20-30 об/мии. 2 табл. (21) 4 (22) 0 (46) 0 (71) лов и (72) В.А.Г (56) Т ства 28334/02 .03,91 .02.93. Бю...