ЦЫГАНОВА СВЕТЛАНА ИВАНОВНА

  Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов со структурой силеннита и позволяет увеличить производительность способа и предотвратить растрескивание монокристаллов Bli2Ge020 и BI12SI020 диаметром 60-90 мм. Выращивают кристаллы методом Чохральского, отрывают от расплава. Проводят отжиг в ростовой камере при температуре на 25-45°С ниже температуры плавления,...