ПИЧУГИН ИГОРЬ ГЕННАДЬЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений А В и может быть использовано при производстве электролюминесцентных структур. Цель изобретения - увеличение скорости роста слоев при сохранении их монокристалличности . Способ включает жидкофазную эпитаксию слоев нитрида галлия в протоке водорода, содержащего аммиак, на сапфировой подложке из раствора-расп...