Лезгян Э.М.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста 1 пленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлиза...

 Сущность изобретения: способ включает формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки толщиной h 2.5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки жидкостным методом на глубину, равную толщине проводников, удаление фоторезиста и повторное травление диэлектрической пленки на глу...