ШАТАЛОВ ВИКТОР ФЕДОРОВИЧ

  Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...

  Способ относится к области контроля кремниевых структур, выращенных на подложках , имеющих отклонение от плоскостности . Сущность изобретения: на поверхность эпитаксиальной структуры наносят маскирующее покрытие. Вскрывают в нем окна прямоугольной формы, одна из сторон которых перпендикулярна базовому срезу, причем другая сторона имеет длину, превышающую значение W/tg «, где W -...