ЭРЛИХ РОМАН НИСОНОВИЧ

  Изобретение относится к области полупроводниковой технологии, в частности к области выращивания эпитаксиальных слоев карбида кремния, и может быть, использовано в высокотемпературной электронике, в том числе для создания высокотемпературных интегральных схем. Цель изобретения - упрощение процесса (отсутствие буферного слоя и использование стандартного оборудования для получения эп...