ГАГИНА ИРИНА АЛЕКСЕЕВНА

  Изобретение касается получения полупроводниковых матер>&иалов и может HdtV'TDi применение в полупроводниковой злектро-нике, а также при изготовлении резисторов, варисторрв, потенциометров и т.п. Цель изобретения - получение материала с полупроводниковыми свойствами, стабильными в области температур от (-150) до.(+150)°С и нечувствительными к изменению влажно...