РЫЛЬКОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
Изобретатель РЫЛЬКОВ ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ является автором следующих патентов:
![Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c2a8422577116b2c665168253ba1547e.jpg)
Способ определения параметров полупроводников методом эффекта холла
Изобретение относится к полупроводниковой технике и фотоэлектронике и может быть использовано, для контроля параметров полупроводников. Цель - обеспечение возможности определения сечения фотоионизации примесных центров. Образец снабжают двумя токовыми контактами и четырьмя потенциальными зондами. Воздействуют на охл.ажденный образец магнитным полем с одновременным облучением повер...
1712987![Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/77c78c9a58990b94e83ac6fe896f63f9.jpg)
Способ контроля однородности фоточувствительности приемников излучения
Назначение: изобретение относится к области полупроводниковой техники и фотоэлектроники и может быть использовано для контроля однородности фоточувствительности полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: поверхность пластин сканируют лазерным лучом. Модулируют диаметр лазерного луча в процессе сканирования. Регистрируют переменную составляющую фотосигнала, 1 ил. СОЮЗ СО...
1785050![Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c7d09f55d8f1ac7584ef727a797d3224.jpg)
Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии мдп-транзисторов
Сущность изобретения: измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и истоком-стоком при потенциале подложки, равном потенциалу истока-стока. Измеряют низкочастотную вольтфарадную характеристику в цепи между затвором и подложкой при тех же условиях. Изменяют высокочастотные вольтфарадные характеристики в цепи исток-сток и в цепи подложки. По измеренны...
1835567