ДОМБРОВСКИЙ ИГОРЬ ИВАНОВИЧ
Изобретатель ДОМБРОВСКИЙ ИГОРЬ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ контроля температуры
Изобретение относится к физической оптике и может быть использовано для измерения температуры поверхности пластин монокристаллов, в частности монокристаллического кремния. Целью изобретения является расширение диапазона измеряемых температур путем смещения его нижнего предела и повышение точности. Для этого на предварительно отполированную и очищенную от оксидных пленок и адсорби...
1717976
Электронная пушка для получения пучка медленных моноэнергетических электронов
Использование: изобретение относится к электронной оптике и может быть использовано для получения пучка медленных моноэнергетических электронов, в частности при измерении контактной разности потенциалов твердых тел по методу Андерсона Сущность изобретения: электронная пушка содержит катод 1, эмитирующий пучок медленных моноэнергетических электронов, электроды (Э) 10, 12, 13, 14,...
1748202
Способ определения времени установления равновесного состояния адсорбированного слоя молекул на поверхности полупроводниковых материалов
Использование: физическая оптика и может быть использовано для регистрации времени установления равновесного состояния адсорбированных молекул на поверхности полупроводниковых материалов. Сущность: для этого на поверхность исследуемого полупроводникового материала (ИПМ), помещенного в вакуум, направляют луч линейно поляризованного света (С) под углом на 1 -2° меньше главн...
1749782