КРАСНИЦКИЙ ВАСИЛИЙ ЯКОВЛЕВИЧ

  Изобретение относится к технологии обработки и производству сверхбольших интегральных схем. Оно может быть использовано для плазменного осаждения пленки нитрида кремния. Целью изобретения является повышение качества пленки нитрида кремния за счет увеличения электрической прочности, улучшения зарядовых характеристик, снижения дефектности и механических напряжений. Цель достигается...