ПОТАПЧУК ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ
Изобретатель ПОТАПЧУК ВЛАДИМИР АЛЕКСАНДРОВИЧ является автором следующих патентов:
![Мощный полупроводниковый модуль Мощный полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c6fc31051b1e55636898365af7121fd8.jpg)
Мощный полупроводниковый модуль
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в агрегатах бесперебойного питания, а также в ряде других преобразовательных устройств. Целью изобретения является повышение надежности модуля путем повышения эффективности токоотвода от эмиттерных и базовых областей транзисторных элементов и его технологичности. Это достигается введением вспомогательного...
1721668![Полупроводниковый модуль Полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6ff3b97d8ec3570d4358a2c5e97995b2.jpg)
Полупроводниковый модуль
Использование: в качестве вторичного источника питания в схемах различных преобразователей электрического тока. Сущность изобретения: защитные диоды цепи эмиттер-коллектор размещены на эмиттерных шинах, которые расположены по обе стороны от транзисторных структур типа Дарлингтона. Эмиттерные и коллекторная шины расположены в одной плоскости, при этом эмиттерные шины закорочены ме...
1735941![Мощный полупроводниковый модуль Мощный полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2d28924143f0d159631fcb8e7e58e8f3.jpg)
Мощный полупроводниковый модуль
Использование: в полупроводниковой технике в агрегатах бесперебойного питания , а также в ряде других преобразовательных устройств. Сущность изобретения: модуль снабжен матрицей, расположенной на основании корпуса. Матрица имеет проходные отверстия и пазы разной величины, в которых располагают элементы конструкции . Часть прижимных полусфер, используемых совместно с планками, бол...
1771008![Полупроводниковый модуль Полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/05e3a4da957c05c4d6f567682d030792.jpg)
Полупроводниковый модуль
Использование: в различных преобразовательных устройствах. Полупроводниковые структуры модуля расположены на основании круглой формы, разделены на части канавками и электрически соединены между собой в определенной последовательности выводами. При этом каждая часть кольца выполнена из отдельной дискретной полупроводниковой структуры в виде усеченного сектора, количество и размер...
1804665