ВАЛЮЖЕНИЧ РАИСА ИВАНОВНА
Изобретатель ВАЛЮЖЕНИЧ РАИСА ИВАНОВНА является автором следующих патентов:
![Мощный полупроводниковый модуль Мощный полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c6fc31051b1e55636898365af7121fd8.jpg)
Мощный полупроводниковый модуль
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в агрегатах бесперебойного питания, а также в ряде других преобразовательных устройств. Целью изобретения является повышение надежности модуля путем повышения эффективности токоотвода от эмиттерных и базовых областей транзисторных элементов и его технологичности. Это достигается введением вспомогательного...
1721668![Полупроводниковый светоуправляемый модуль Полупроводниковый светоуправляемый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/a933bb15593ac2c0bfc3506a257a5f2c.jpg)
Полупроводниковый светоуправляемый модуль
Использование: е полупроводниковых пр.еобразователях электрической энергии, станциях управления и электроприводах постоянного и переменного тока. Сущность изобретения: блок управления выполнен из изолирующего каркаса, в котором закреплены светоизлучающие диоды. Изолирующий каркас имеет один боковой паз под силовой вывод и центральное отверстие, в котором расположена линза со стор...
1746438![Мощный полупроводниковый модуль Мощный полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2d28924143f0d159631fcb8e7e58e8f3.jpg)
Мощный полупроводниковый модуль
Использование: в полупроводниковой технике в агрегатах бесперебойного питания , а также в ряде других преобразовательных устройств. Сущность изобретения: модуль снабжен матрицей, расположенной на основании корпуса. Матрица имеет проходные отверстия и пазы разной величины, в которых располагают элементы конструкции . Часть прижимных полусфер, используемых совместно с планками, бол...
1771008![Мощный полупроводниковый модуль Мощный полупроводниковый модуль](https://img.patentdb.ru/i/200x200/26743682da07e33977513002c5819eac.jpg)
Мощный полупроводниковый модуль
Область использования: в агрегатах бесперебойного питания, в так же в ряде других преобразовательных устройствах. Сущность изобретения: четыре полупроводниковых элемента расположены попарно один над другим и составляют один элемент многоключевого модуля, при этом по меньшей мере в одной паре полупроводниковые элементы разделены теплопроводящей изолирующейпрокладкой .Каждый полупр...
1775754