Терейковская О.Ф.

 Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI . С целью получения однородного по толщине, механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса кристаллы обезжиривают в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25С, наносят на нее слой серебра из смеси...