АЛЕШИН ЮРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ
Изобретатель АЛЕШИН ЮРИЙ АНАТОЛЬЕВИЧ является автором следующих патентов:
![Способ выращивания малодислокационных монокристаллов арсенида галлия Способ выращивания малодислокационных монокристаллов арсенида галлия](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f1fdde3c81fa4167c2d9ca4e90a0009d.jpg)
Способ выращивания малодислокационных монокристаллов арсенида галлия
Изобретение относится к способу получения малодислокационных монокристаллов арсенида галлия и позволяет увеличить однородность распределения дислокаций в объеме монокристалла. Кристалл выращивают вытягиванием на затравку из-под слоя флюса под давлением, охлаждают во фл юсе до 700 - 850°С и снижают давление до величины не более 50 мм рт. ст. 1 табл. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦ...
1730217