Потапенко С.Ю.

 Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения. Изобретение позволяет получать затравку апертуры большей, чем первоначальная, пригодной для последующего выращивания на ней кристаллов высокой оптической стойкости. Способ включает моносекториальное выращивание крист...

 Использование: в технологии выращивания кристаллов на затравках, ростовая поверхность которых представляет собой естественную грань. Сущность изобретения: монокристаллы выращивают из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани. В качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в нач...