Карачевцева М.В.
Изобретатель Карачевцева М.В. является автором следующих патентов:
Светодиод торцового типа
Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом () к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условию...
1736310