Мешеряков Н.Я.

  Использование: микроэлектроника, изготовление вентильных матриц больших интегральных схем. Сущность изобретения: предложенный способ позволяет повысить плотность упаковки активных элементов схем без снижения радиационной стойкости БИС. Полевой слой оксида кремния в накопителе матрицы формируют только под областями контактов поликремния с металлизацией со смещением относительно поперечной...