БЕЗРУКАВНИКОВ НИКОЛАЙ ВАСИЛЬЕВИЧ

  Использование: в области роста кристаллов . Сущность изобретения: кристаллы выращивают из раствора в расплаве (Р) СиО. Сначала Р перегревают выше температуры ликвидуса в поле температурного градиента (Г). Затем величину перегрева снижают со скоростью 10-50 град/ч до температуры, ниже температуры спонтанной кристаллизации , но выше 1050°С. Меняют направление Г и ведут крис...