БЛЯШКО ЮРИЙ РУФИНОВИЧ

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при отжиге имплантированного арсенида галлия. Целью является упрощение технологии при повышении качества. Сущность способа заключается в нанесении на поверхность полупроводниковой подложки, взятой после имплантации кремния, защитного покрытия из пленкообразующего вещества, состоящего из раствора 0,09-0,11 мл тетра...