НЕРСЕСЯН ЛЕВОН МЕСРОПОВИЧ

  Использование: конструирование и изготовление полупроводниковых приборов Сущность изобретения: кремниевый высовольтный сильноточный диод содержит полупроводниковый кристалл с верхним и нижним компенсаторами, размещенный на основании металлического корпуса, выполненного с диаметрально расположенными в его стенках пазами, в первом из которых размещен эмиттерный вывод, соединенный с...

  Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллельных направлениях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводом в том же сочетании. 1 табл...

  СО(ОЗ СОБГТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК is1)s Н 01 ) 21/225 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ БЕДОЫСТБО СССР {ГОСПАТЕНТ СССР) СПИ-30 35 ч 0,88 0,87 0.86 086 0.86 0,87 0,84 0.88 2, Тот же 0.87 0.85 0,84 0.85 0,84 0.84 084 0.85 0,84 0,88 0,84 0,84 е ° т-температура термоотжига: t