ЭШЧАНОВ ГУЛИМБАТ КАМОЛОВИЧ

  Использование: конструирование и изготовление полупроводниковых приборов Сущность изобретения: кремниевый высовольтный сильноточный диод содержит полупроводниковый кристалл с верхним и нижним компенсаторами, размещенный на основании металлического корпуса, выполненного с диаметрально расположенными в его стенках пазами, в первом из которых размещен эмиттерный вывод, соединенный с...

  Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллельных направлениях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводом в том же сочетании. 1 табл...