ТИКАВЫЙ ИГОРЬ ВАДИМОВИЧ
Изобретатель ТИКАВЫЙ ИГОРЬ ВАДИМОВИЧ является автором следующих патентов:
![Способ получения образца кремния с косым шлифом Способ получения образца кремния с косым шлифом](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5e66bba52417a5bcc29fdbf616a9b569.jpg)
Способ получения образца кремния с косым шлифом
Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну плоскость образца химически инертным материалом . Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца . Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ...
1755103![Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника излучения Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3656e1e9e341148310c90e070a4a3e6e.jpg)
Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника излучения
Использование: фотометрическая техника , регистрация плотности потока излучения в условиях случайно изменяющейся. взаимной ориентации источника и фотометра при решении геофизических и других задач . Сущность изобретения: измеряют падающий поток излучения шестью раздельными фотоприемниками с косинусными угловыми характеристиками, которые объединяют попарно тыльными сторонами друг...
1783319![Способ определения плотности потока излучения при изменяющейся взаимной ориентации фотометра и удаленного источника излучения Способ определения плотности потока излучения при изменяющейся взаимной ориентации фотометра и удаленного источника излучения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/0d165b00a0bdba38e3ab4bf299d50e34.jpg)
Способ определения плотности потока излучения при изменяющейся взаимной ориентации фотометра и удаленного источника излучения
Использование: при решении геофизических и других задач, именно для регистрации плотности светового .потока от удаленного источника в условиях случайно меняющейся взаимной ориентации фотометра и источника излучения. Сущность изобретения: измеряют падающий поток излучения независимыми фотоприемниками , используют два фотоприемника с различными угловыми характеристиками, оптические...
1800287![Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника](https://img.patentdb.ru/i/200x200/b9322a1fbde2facb90c2749579f94409.jpg)
Способ определения плотности потока излучения от движущегося удаленного источника
Использование: при решении геофизических и других задач. Сущность изобретения: измерение падающего потока излучения независимыми фотоприемниками, в процессе измерений используют два фотоприемника с косинусными угловыми характеристиками , которые располагают таким образом, чтобы их оптические оси были взаимно перпендикулярны и лежали в одной плоскости с направлением на источник, з...
1800288![Способ определения плотности потока излучения от удаленного источника Способ определения плотности потока излучения от удаленного источника](https://img.patentdb.ru/i/200x200/8b66b0ca075c25ee5f9c3eff67e5fae9.jpg)
Способ определения плотности потока излучения от удаленного источника
Использование: при решении геофизических задач, Сущность изобретения: измерение падающего потока раздельными приемными трактами. В процессе измерений используют один фотоприемник, снабженный поворотным сегментным отражателем , располагают ось вращения отражателя таким образом, чтобы угол между плоскостью вращения отражателя и поверхностью фотоприемника составлял 45°, орие...
1800289![Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры](https://img.patentdb.ru/i/200x200/33ed022913ea558796800cba40c3ad5f.jpg)
Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры
Назначение: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для препарирования образцов при контроле структуры кремния. Сущность изобретения: поверхность образца подвергают обработке селективным травителем. Травление проводят путем электрохимического травления при освещении поверхности некогерентным светом. Травление проводят в две стадии. На первой ста...
1800309