Карасев А.О.

  Использование: технология производства интегральных схем. Сущность изобретения: при изготовлении прибора с зарядовой связью создают ионным легированием стоп-каналы, формирующие каналы переноса, и одновременно стоп-каналы, формирующие скрытый канал со встроенным потенциалом. Затем формируют скрытый канал, наносят подзатворный диэлектрик, проводящий слой и формируют тактовые электроды. При...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: в способе изготовления прибора с зарядовой связью с виртуальной фазой создают стоп-каналы и скрытый канал ионным легированием, затем наносят подзатворный диэлектрик, проводящие слои и слои фоторезиста, вскрывают окна над областью виртуальной фазы, после нанесения фоторезиста вскрывают окна над...