Плащинский Г.И.

  Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - упрощение способа и повышение его производительности. Данный способ включает в себя формирование на пластине монокристаллического кремния 1-го типа проводимости пленки защитного диэлектрика толщиной 0,03-0,05 мкм, формирование карманов 11-го типа проводимости, ионную имплантацию примесей обоих типов проводимости в области исток...