Кутырева Р.А.

  Использование: изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных полупроводниковых приборов и интегральных. Сущность изобретения: полупроводниковая структура, выполненная по планарно-эпитаксиальной технологии, включает область с активным элементом, две изолирующие области одного типа проводимости, между которыми расположена т...