ГАШТОЛЬД ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

  Использование: изобретение применяют в оперативных и постоянных запоминающих устройствах, например БИС, СБИС, в которых обеспечивают надежность работы за счет исключения пробоя подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: расположенный между двумя управляющими электродами полевого транзистора маскирующий слой имеет толщину не более 20 нм, и расположен над областью канала, пер...