Коростинская Тамара Васильевна (UA)

 Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный сло...