Дорофеева Л.Л.
Изобретатель Дорофеева Л.Л. является автором следующих патентов:

Способ химического осаждения полупроводниковых пленок халькогенидов металлов
Использование: технология изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность: полупроводниковые пластины помещают в электролит, содержащий 2103 моль/л Pb(NO3)2 тиомочевину 510-3 моль/л или селеномочевину 510-3 моль/л, с помощью нагревательного устройства электролит с подложкой нагревают до температуры, при которой начинается осаждение. Одновременно с нагревом проводят л...
1766210