Юрков С.Н.

 Использование: силовые полупроводниковые приборы, а именно конструкции тиристора. Сущность изобретения: тиристоры на основе p-n-p-n-структуры снабжены распределенной шунтировкой в виде цилиндров в эмиттерном слое, расположенных в вершинах равносторонних треугольников. Расстояние между шунтами выбраны в зависимости от удельного сопротивления исходной кремниевой пластины и подчиняются опред...