ПАШКОВА СВЕТЛАНА ЕВГЕНЬЕВНА

  Способ относится к области контроля кремниевых структур, выращенных на подложках , имеющих отклонение от плоскостности . Сущность изобретения: на поверхность эпитаксиальной структуры наносят маскирующее покрытие. Вскрывают в нем окна прямоугольной формы, одна из сторон которых перпендикулярна базовому срезу, причем другая сторона имеет длину, превышающую значение W/tg «, где W -...