Лымарь Г.Ф.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при получении методом пиролитического синтеза эпитаксиальных структур для изготовления интегральных схем и приборов СВЧ - электроники. На полуизолирующих подложках наращивают буферный полуизолирующий слой арсенида галлия, а затем наращивают легированные низкоомные слои. Наращивание проводят в среде водорода в при...

 Изобретение относится к электронной технике и направлено на улучшение качества слоев за счет повышения концентрации носителей в них и повышения воспроизводимости их параметров, что достигается тем, что в способе получения эпитаксильных слоев арсенида галлия p-типа проводимости методом пиролиза металлорганических соединений галлия в среде водорода эпитаксиальное наращивание проводят в прис...